| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,綜合 | 
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                    	- 高靈敏度中子ICCD  和中子sCMOS探測(cè)器
PSEL制冷型中子探測(cè)器系列采用LiF:ZnS:Ag閃爍體熒光屏,由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應(yīng)用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體,并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機(jī)。衍射和小角散射應(yīng)用使用26cm×20cm有效區(qū)域的高效閃爍體,并結(jié)合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機(jī),可實(shí)現(xiàn)單量子探測(cè)功能。通過(guò)將多個(gè)相機(jī)拼接在一起可以實(shí)現(xiàn)更大區(qū)域的探測(cè)。快中子系列不僅可以用于實(shí)驗(yàn)室密封源研究,也可用于研究反應(yīng)堆設(shè)施。

高靈敏度中子ICCD 主要特點(diǎn):
- 16-bit數(shù)字圖像實(shí)時(shí)采集
- 單中子等效讀出噪聲
- 可達(dá)20000:1的高動(dòng)態(tài)范圍
- 標(biāo)準(zhǔn)相機(jī)與計(jì)算機(jī)接口 
- 芯片陣列可多路采集
高靈敏度中子ICCD 應(yīng)用:
-  中子成像/斷層掃描
-  中子衍射
-  小角中子散射
-  蛋白質(zhì)晶體學(xué)
-  中子反射
 
高靈敏度中子ICCD 技術(shù)指標(biāo):
| 參數(shù) | 中子ICCD | 中子sCMOS | 
| 閃爍體 | LiF:ZnS:Ag | 
| 有效像元尺寸 | 200μm | 105 μm | 
| 有效探測(cè)尺寸 | 20cm×26cm | 43cm×43cm | 
| 幀速 | 0.6 fps | 5 fps | 
| 動(dòng)態(tài)范圍 | >10000:1 | >20000:1 | 
| 讀出噪聲 | <3 e- | 4e- | 
| 增益 | >1000:1 | N/A | 
| 門(mén)控寬度 | <1 ms @ 1kHz | N/A | 
| 芯片制冷溫度 | -20 ℃ | 
| 曝光時(shí)間(單幀) | 長(zhǎng)可達(dá)30分鐘 | 長(zhǎng)可達(dá)1分鐘 | 
| 相機(jī)接口 | 千兆以太網(wǎng) | 
 
Li-6熒光屏來(lái)自于scintacor
| 特征 | 物理性質(zhì) | 
| 屏幕類(lèi)型 | ND | 
| 磷光體類(lèi)型 | 混合顆粒 | 
| 發(fā)光顏色 | 藍(lán)色 | 
| 峰值波長(zhǎng) | 450nm | 
| 衰減10% | 3.5μs | 
| 余輝拖尾 | 低階 | 
| X射線(xiàn)吸收 | 極低 | 
| 紫外光吸收 | 寬帶 |